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TBDB 暫時鍵合/解鍵合
應用於晶圓薄化與先進封裝。提供鍵合機、熱滑移/機械/雷射解鍵合機、解鍵合清洗機,以及廠內 4"–12" 全製程打樣。
- Spin Coat → Bond → Debond → Clean
- ≧ 50 µm 自動解鍵合,最薄 10 µm
- 最薄解鍵合晶圓
- 10µm
- 晶圓尺寸全製程打樣
- 4–12吋
Nutrim Technology · Since 2010
專注 暫時鍵合/解鍵合(TBDB) 製程設備與打樣,支援晶圓薄化與先進封裝。從 4" 到 12"、從 10 µm 薄晶圓到 10 mm 翹曲,把難處理的晶圓變成穩定可量產的製程。
TSMC 供應鏈(2016–)自動 Temporary Bonder 10 年以上2026 加入辛耘團隊
2010
成立年份
12"
最大晶圓尺寸
≦10 mm
可處理翹曲量
10 µm
最薄解鍵合晶圓
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應用於晶圓薄化與先進封裝。提供鍵合機、熱滑移/機械/雷射解鍵合機、解鍵合清洗機,以及廠內 4"–12" 全製程打樣。
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Wafer Loader/EFEM、晶圓檢查機、雷射刻印機,可整合至既有手動機台。
Interactive · TBDB Process
點選每個步驟,查看製程原理與新群對應的設備能力。解鍵合步驟可切換三種方式。
將暫時鍵合膠(adhesive)以旋塗均勻塗佈於元件晶圓或載片,精準控制轉速與加速度以達目標膜厚,並具正背洗邊。
熱板預烤去除溶劑;熱板達設定溫度 5 分鐘後均勻度 ±1.5%,降低氣泡與膜厚不均。
晶圓與載片以外緣輪廓與 Notch 對準後,以熱壓或 UV 固化完成鍵合;可選硬板式、氣囊式壓板或 UV 腔體,控制 TTV 與空隙。
有載片支撐的晶圓進行研磨薄化、背面金屬化,或 TSV、RDL 重佈線、扇出型封裝、2.5D/3D IC 堆疊等先進封裝製程,降低破片與翹曲風險。
依材料選擇熱滑移、機械剝離或雷射剝離,將薄晶圓無損地與載片分離;可處理 ≧ 50 µm,最薄達 10 µm。
加熱至黏合劑軟化溫度,施加剪切力使晶圓滑離。
於邊緣產生破口後,以機械力剝離分片,常搭配分離層。
以 UV 或 IR 雷射燒蝕分離層達成分離;掃描範圍支援 2"–12",355 / 1064 nm 可打樣。
以溶劑(丙酮、IPA、正己烷等)去除殘膠,避免污染後段封裝與焊接品質。
Interactive · Warpage
拖曳滑桿模擬翹曲量,立即看到適用的處理方式與建議設備。
一般晶圓
標準機台即可穩定傳送與檢查。
Key Equipment
所有設備皆在台灣設計與製造,可依製程需求客製軟硬體。

暫時鍵合/解鍵合
Wafer Auto Bonder
將需要薄化或先進封裝製程的元件晶圓暫時貼合在載片(carrier)上,整合塗佈、預熱、對準與鍵合於一機,降低薄晶圓破片風險。
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暫時鍵合/解鍵合
Wafer Auto Debonder (Clean)
背面製程完成後,自動將晶圓與載片分離並完成清洗;自動偵測晶圓厚度,適用 50 µm 以上薄晶圓。
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暫時鍵合/解鍵合
Wafer Semi Auto Debonder
人工放片、一鍵解鍵合;3 組解鍵合模組可獨立設定參數並同時作業,適合研發打樣與中小量產。
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晶圓自動上下料
Wafer Loader FOUP Type
12" 封閉式自動上下料模組,可對應翹曲量 ≦ 10 mm 的晶圓,可整合至既有手動機台達成自動化。
查看規格How we work
晶圓尺寸、厚度、翹曲量、膠材與產能目標
廠內 4"–12" TBDB 一條龍測試,以數據確認製程窗口
標準機或客製化,機構、電控、軟體同步規劃
台灣廠內組裝與出貨前驗收,縮短交期
客戶端安裝、SECS/GEM 整合與在地維護

FAQ
TBDB 不只用於晶圓薄化,也廣泛用於先進封裝。凡是製程中需要載片暫時支撐晶圓的步驟都適用,例如晶圓研磨薄化、TSV、RDL 重佈線層、扇出型封裝(Fan-out)、2.5D/3D IC 與晶片堆疊。
晶圓 4"、6"、8"、12";載片可選與晶圓等徑或異徑貼合。相近的兩個尺寸可做兼容設計,例如 4"&6"、6"&8"、8"&12"。
解鍵合機可自動偵測各種厚度,標準適用 ≧ 50 µm;機械解鍵合最薄可實現 10 µm 薄晶圓分片。
Loader 與檢查機可選配翹曲片處理,對應翹曲量 ≦ 10 mm;更大翹曲可做特殊設計,歡迎提供樣品評估。
硬板式壓板、氣囊式壓板與 UV 固化腔體,可依膠材選擇並先行打樣驗證。
Let's solve it together